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LED的核心外延、芯片技术获突破
2013-08-21 | 阅
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  LED的核心技术是高亮度LED的外延生长和芯片制造技术,近几年政府和相关研究机构高度重视LED核心技术的开发,投入了大量资金和人力加以研究,主要研究机构有北大、清华、南昌大学、中科院半导体所、中科院物理所、中电科技集团第13研究所等。在外延生长、芯片制造方面,如在不同衬底(Al2O3.Si、SiC、AlN)上外延生长GaN材料,已开发出图形化衬底外延、非极性或半极性外延、衬底转移、激光剥离、共晶焊接、ITO电极、表面粗化和光子晶体等,提高内量子效率和外量子效率方面,取得很好的研究成果,已研发出AlGaN深紫外(260nm~400nm)发光二极管,还研发出1W的LED蓝光芯片,做成白光的LED发光效率超过80lm/W,并研制出四元系AlGaInP红光功率LED器件,发光效率约40lm/W.南昌大学研制出了有自主知识产权的在硅衬底上生长GaN,并做出蓝、绿LED芯片,现已产业化。 
 
  国内LED外延生长和芯片制造的主要企业有厦门三安、大连路美、上海蓝光、上海蓝宝、山东华光、杭州士蓝明芯、江西晶能光电、河北同辉、沈阳方大、厦门乾照、江西联创、南昌欣磊、上海大晨、上海宇体、深圳世纪晶源、深圳奥伦德、扬州华夏集成、廊坊清芯、甘肃新天电、武汉迪源、西安中为、广州普光、东莞福地,以及外资企业如武汉华灿、厦门晶宇、厦门明达和晋江晶蓝等,这些企业在芯片结构和工艺改进方面做了大量工作,在提高产品性能、成品率、工艺重复性,提高抗光衰能力和可靠性等方面均取得较大成果。2008年高亮度LED芯片超过300亿只,其中蓝、绿芯片80亿只~100亿只。而2007年国内生产高亮度芯片超过210亿只,增长率为75%,其中蓝、绿芯片约为65亿只,增长率为62.5%. 
 
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